Francisco Jiménez-Molinos

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Coautores

Juan B. RoldánDepartment of Electronics and Computer Technology. Granada University (Spain)Dirección de correo verificada de ugr.es
Francisco GamizProfessor of ElectronicsDirección de correo verificada de ugr.es
Marco A. VillenaApplied MaterialsDirección de correo verificada de amat.com
Gerardo González-CorderoUniversidad de GranadaDirección de correo verificada de correo.ugr.es
Jordi SuñéProfessor of Electronics, IEEE Fellow, Universitat Autònoma de BarcelonaDirección de correo verificada de uab.cat
Alberto J PalmaFull Professor of Electronics (Univ of Granada - Spain)Dirección de correo verificada de ugr.es
Juan A. López-VillanuevaCatedrático de Tecnología Electrónica, Universidad de GranadaDirección de correo verificada de ugr.es
Ana Maria AguileraProfesora de Estadística, Universidad de GranadaDirección de correo verificada de ugr.es
CARLOS SAMPEDRO MATARINTenured Professor, Universidad de Granada, SpainDirección de correo verificada de go.ugr.es
Rodrigo PicosAssociate Prof., Physics Dept., Universitat de les Illes BalearsDirección de correo verificada de uib.es
Mohamad Moner AL CHAWAPh.D. Electronic Engineering, Telecommunications , Technische Universität DresdenDirección de correo verificada de tu-dresden.de
Noel RodriguezTenured Professor at University of GranadaDirección de correo verificada de ugr.es
Luca DonettiDepartamento de Electrónica, Universidad de GranadaDirección de correo verificada de ugr.es
Enrique MirandaUniversitat Autonoma de BarcelonaDirección de correo verificada de uab.cat
Rocío Romero ZalizUniversidad de GranadaDirección de correo verificada de decsai.ugr.es
Francisco G. RuizTenured Professor, University of GranadaDirección de correo verificada de ugr.es
Mario LanzaKing Abdullah University of Science and Technology (KAUST)Dirección de correo verificada de kaust.edu.sa
Jesús BanqueriUniversity of GranadaDirección de correo verificada de ugr.es
A. Rodriguez-FernandezParadigma DigitalDirección de correo verificada de paradigmadigital.com
Siegfried SelberherrInstitute for Microelectronics, TU WienDirección de correo verificada de TUWien.ac.at

Francisco Jiménez-Molinos

Universidad de Granada

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Título Ordenar por citas Ordenar por año Ordenar por título	Citado por Citado por	Año
Physical model for trap-assisted inelastic tunneling in metal-oxide-semiconductor structures F Jiménez-Molinos, A Palma, F Gamiz, J Banqueri, JA Lopez-Villanueva Journal of Applied Physics 90 (7), 3396-3404, 2001	114	2001
Direct and trap-assisted elastic tunneling through ultrathin gate oxides F Jiménez-Molinos, F Gámiz, A Palma, P Cartujo, JA López-Villanueva Journal of Applied Physics 91 (8), 5116-5124, 2002	83	2002
Electron transport in strained Si inversion layers grown on SiGe-on-insulator substrates F Gamiz, P Cartujo-Cassinello, JB Roldán, F Jiménez-Molinos Journal of Applied Physics 92 (1), 288-295, 2002	82	2002
Simulation of thermal reset transitions in resistive switching memories including quantum effects MA Villena, MB González, F Jiménez-Molinos, F Campabadal, JB Roldán, ... Journal of Applied Physics 115 (21), 214504, 2014	57	2014
An in-depth simulation study of thermal reset transitions in resistive switching memories MA Villena, F Jiménez-Molinos, JB Roldán, J Suñé, S Long, X Lian, ... Journal of Applied Physics 114 (14), 144505, 2013	56	2013
Influence of acoustic phonon confinement on electron mobility in ultrathin silicon on insulator layers L Donetti, F Gámiz, N Rodriguez, F Jimenez, C Sampedro Applied physics letters 88 (12), 122108, 2006	45	2006
An in-depth study of thermal effects in reset transitions in HfO2 based RRAMs MA Villena, MB González, JB Roldán, F Campabadal, F Jiménez-Molinos, ... Solid-State Electronics 111, 47-51, 2015	38	2015
A SPICE Compact Model for Unipolar RRAM Reset Process Analysis F Jimenez-Molinos, MA Villena, JB Roldan, AM Roldan IEEE, 2015	37	2015
An Analytical – Model for Surrounding-Gate Transistors That Includes Quantum and Velocity Overshoot Effects JB Roldan, F Gamiz, F Jiménez-Molinos, C Sampedro, A Godoy, ... IEEE transactions on electron devices 57 (11), 2925-2933, 2010	37	2010
A 3D kinetic Monte Carlo simulation study of resistive switching processes in Ni/HfO2/Si-n+-based RRAMs S Aldana, P García-Fernández, A Rodríguez-Fernández, R Romero-Zaliz, ... Journal of Physics D: Applied Physics 50 (33), 335103, 2017	36	2017
S I M 2 R R A M : a physical model for RRAM … MA Villena, JB Roldán, F Jiménez-Molinos, E Miranda, J Suñé, M Lanza Journal of Computational Electronics 16 (4), 1095-1120, 2017	35	2017
In-depth study of the physics behind resistive switching in TiN/Ti/HfO₂/W structures G Gonzalez-Cordero, F Jimenez-Molinos, JB Roldán, MB González, ... Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and …, 2017	35	2017
A new compact model for bipolar rrams based on truncated-cone conductive filaments—a verilog-a approach G González-Cordero, JB Roldan, F Jiménez-Molinos, J Suñé, S Long, ... Semiconductor Science and Technology 31 (11), 115013, 2016	34	2016
A comprehensive analysis on progressive reset transitions in RRAMs MA Villena, JB Roldán, F Jimenez-Molinos, J Suñé, S Long, E Miranda, ... Journal of Physics D: Applied Physics 47 (20), 205102, 2014	32	2014
Coulomb scattering model for ultrathin silicon-on-insulator inversion layers F Gamiz, F Jimenez-Molinos, JB Roldan, P Cartujo-Cassinello Applied physics letters 80 (20), 3835-3837, 2002	31	2002
Semiempirical modeling of reset transitions in unipolar resistive-switching based memristors R Picos, JB Roldan, MMA Chawa, P Garcia-Fernandez, ... arXiv preprint arXiv:1702.01533, 2017	28	2017
A new parameter to characterize the charge transport regime in Ni/HfO2/Si-n+-based RRAMs MA Villena, JB Roldán, MB González, P González-Rodelas, ... Solid-State Electronics 118, 56-60, 2016	28	2016
Hole transport in DGSOI devices: Orientation and silicon thickness effects L Donetti, F Gámiz, N Rodrı, F Jiménez-Molinos, JB Roldán Solid-state electronics 54 (2), 191-195, 2010	21	2010
Coulomb scattering in high- gate stack silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field effect transistors F Jiménez-Molinos, F Gámiz, L Donetti Journal of Applied Physics 104 (6), 063704, 2008	15	2008
Exploring ReRAM-based memristors in the charge-flux domain, a modeling approach R Picos, JB Roldan, MM Al Chawa, F Jimenez-Molinos, MA Villena, ... 2015 International Conference on Memristive Systems (MEMRISYS), 1-2, 2015	14	2015

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