Sergio Fernández-Garrido

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Coautores

Oliver BrandtSenior scientist, Paul-Drude-Institut für FestkörperelektronikDirección de correo verificada de pdi-berlin.de
Achim TrampertPaul-Drude-InstituteDirección de correo verificada de pdi-berlin.de
Pierre CorfdirABB Corporate ResearchDirección de correo verificada de ch.abb.com
Javier GrandalISOM - UPM (ETSI de Telecomunicación)Dirección de correo verificada de upm.es
Dr. Christian HauswaldDeutsche Bahn AGDirección de correo verificada de deutschebahn.com
Johannes K ZettlerLayTec AGDirección de correo verificada de laytec.de
Vladimir KaganerPaul-Drude-Institut für FestkörperelektronikDirección de correo verificada de pdi-berlin.de
Gabriele CalabreseCNR-IMMDirección de correo verificada de bo.imm.cnr.it
Holger T. GrahnPaul-Drude-Institut für FestkörperelektronikDirección de correo verificada de pdi-berlin.de
M.A. Sanchez-GarciaCatedrático de Universidad, Universidad Politécnica de MadridDirección de correo verificada de isom.upm.es
zarko gacevicProfesor Contratado Doctor, Universidad Politécnica de MadridDirección de correo verificada de isom.upm.es
Jonas LähnemannWissenschaftlicher Mitarbeiter, Paul-Drude-Institut für FestkörperelektronikDirección de correo verificada de pdi-berlin.de
Carsten PfüllerPost Doc, Paul-Drude-InstitutDirección de correo verificada de pdi-berlin.de
Henning RiechertDirector, Paul-Drude-Institut für FestkörperelektronikDirección de correo verificada de pdi-berlin.de
Guanhui GaoRice UniversityDirección de correo verificada de rice.edu
Laurent CeruttiUniversity of MontpellierDirección de correo verificada de umontpellier.fr
Thomas AuzellePaul-Drude-Institut für FestkörperelektronikDirección de correo verificada de pdi-berlin.de
Sonia EstradeUniversitat de BarcelonaDirección de correo verificada de ub.edu
Raffaella CalarcoCNR-IMMDirección de correo verificada de cnr.it
Francesca PeiróUniversitat de BarcelonaDirección de correo verificada de ub.edu

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Sergio Fernández-Garrido

Associate Professor in Materials Science and ERC-CoG Grantee at Universidad Politécnica de Madrid

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Quantum Information Technologies Photovoltaics III-V Compound Semiconductors Nanotechnology Epitaxy (MBE and CBE)


Título Ordenar por citas Ordenar por año Ordenar por título	Citado por Citado por	Año
On the mechanisms of spontaneous growth of III-nitride nanocolumns by plasma-assisted molecular beam epitaxy J Ristić, E Calleja, S Fernández-Garrido, L Cerutti, A Trampert, U Jahn, ... Journal of crystal growth 310 (18), 4035-4045, 2008	226	2008
Growth, morphology, and structural properties of group‐III‐nitride nanocolumns and nanodisks E Calleja, J Ristić, S Fernández‐Garrido, L Cerutti, MA Sánchez‐García, ... physica status solidi (b) 244 (8), 2816-2837, 2007	207	2007
Wurtzite GaN nanocolumns grown on Si (001) by molecular beam epitaxy L Cerutti, J Ristić, S Fernández-Garrido, E Calleja, A Trampert, KH Ploog, ... Applied physics letters 88 (21), 2006	187	2006
A growth diagram for plasma-assisted molecular beam epitaxy of GaN nanocolumns on Si (111) S Fernández-Garrido, J Grandal, E Calleja, MA Sánchez-García, ... Journal of Applied Physics 106 (12), 126102, 2009	156	2009
Green luminescence in Mg-doped GaN MA Reshchikov, DO Demchenko, JD McNamara, S Fernández-Garrido, ... Physical Review B 90 (3), 035207, 2014	138	2014
Spontaneous nucleation and growth of GaN nanowires: the fundamental role of crystal polarity S Fernández-Garrido, X Kong, T Gotschke, R Calarco, L Geelhaar, ... Nano Letters 12 (12), 6119-6125, 2012	137	2012
Polarity in GaN and ZnO: Theory, measurement, growth, and devices J Zúñiga-Pérez, V Consonni, L Lymperakis, X Kong, A Trampert, ... Applied Physics Reviews 3 (4), 2016	136	2016
Self-regulated radius of spontaneously formed GaN nanowires in molecular beam epitaxy S Fernández-Garrido, VM Kaganer, KK Sabelfeld, T Gotschke, J Grandal, ... Nano Letters 13 (7), 3274-3280, 2013	124	2013
In situ GaN decomposition analysis by quadrupole mass spectrometry and reflection high-energy electron diffraction S Fernández-Garrido, G Koblmüller, E Calleja, JS Speck Journal of applied physics 104 (3), 2008	121	2008
Understanding the selective area growth of GaN nanocolumns by MBE using Ti nanomasks A Bengoechea-Encabo, F Barbagini, S Fernandez-Garrido, J Grandal, ... Journal of Crystal Growth 325 (1), 89-92, 2011	118	2011
Columnar AlGaN/GaN nanocavities with AlN/GaN Bragg reflectors grown by molecular beam epitaxy on Si (111) J Ristić, E Calleja, A Trampert, S Fernández-Garrido, C Rivera, U Jahn, ... Physical review letters 94 (14), 146102, 2005	98	2005
In situ investigation of growth modes during plasma-assisted molecular beam epitaxy of (0001) GaN G Koblmüller, S Fernández-Garrido, E Calleja, JS Speck Applied Physics Letters 91 (16), 2007	97	2007
Molecular beam epitaxy of single crystalline GaN nanowires on a flexible Ti foil G Calabrese, P Corfdir, G Gao, C Pfüller, A Trampert, O Brandt, ... Applied Physics Letters 108 (20), 2016	90	2016
Epitaxial growth of GaN nanowires with high structural perfection on a metallic TiN film M Wolz, C Hauswald, T Flissikowski, T Gotschke, S Fernández-Garrido, ... Nano Letters 15 (6), 3743-3747, 2015	88	2015
Molecular Beam Epitaxy of GaN Nanowires on Epitaxial Graphene S Fernández-Garrido, M Ramsteiner, G Gao, LA Galves, B Sharma, ... Nano Letters 17 (9), 5213-5221, 2017	75	2017
High electron mobility GaN grown under N-rich conditions by plasma-assisted molecular beam epitaxy G Koblmüller, F Wu, T Mates, JS Speck, S Fernández-Garrido, E Calleja Applied Physics Letters 91 (22), 2007	75	2007
Carrier-confinement effects in nanocolumnar Ga N∕ Al x Ga 1− x N quantum disks grown by molecular-beam epitaxy J Ristić, C Rivera, E Calleja, S Fernández-Garrido, M Povoloskyi, ... Physical Review B 72 (8), 085330, 2005	71	2005
A comprehensive diagram to grow InAlN alloys by plasma-assisted molecular beam epitaxy S Fernández-Garrido, Ž Gačević, E Calleja Applied Physics Letters 93 (19), 2008	63	2008
Monitoring the formation of nanowires by line-of-sight quadrupole mass spectrometry: a comprehensive description of the temporal evolution of GaN nanowire ensembles S Fernández-Garrido, JK Zettler, L Geelhaar, O Brandt Nano Letters 15 (3), 1930-1937, 2015	62	2015
Correlation between the structural and optical properties of spontaneously formed GaN nanowires: a quantitative evaluation of the impact of nanowire coalescence S Fernández-Garrido, VM Kaganer, C Hauswald, B Jenichen, ... Nanotechnology 25 (45), 455702, 2014	58	2014

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