Martin Eickhoff

Citado por

	Total	Desde 2018
Citas	10590	3476
Índice h	50	27
Índice i10	158	90

760

380

190

570

2001200220032004200520062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022202342 60 145 243 293 328 349 479 412 444 464 525 647 611 594 645 704 760 674 655 622 515 250

Acceso público

Ver todo

44 artículos

29 artículos

disponibles

no disponibles

Basado en requisitos de financiación

Coautores

Jordi ArbiolICREA and Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology (ICN2), CSIC and BISTDirección de correo verificada de icrea.cat
Eva MonroyCEA, IRIG, PHELIQS-NPSC, Grenoble, FranceDirección de correo verificada de cea.fr
Sangam ChatterjeeInstitute for Experimentalphysik Physics I, Justus-Liebig-University GiessenDirección de correo verificada de physik.uni-giessen.de
Alexey ChernikovDresden University of Technology (TU Dresden), University of RegensburgDirección de correo verificada de tu-dresden.de
Maria TchernychevaResearcher at Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), CNRS, Universite Paris-SudDirección de correo verificada de u-psud.fr
Anna Fontcuberta i MorralEcole Polytechnique Fédérale de LausanneDirección de correo verificada de epfl.ch
Gwénolé JacopinInstitut Néel - CNRS, Univ. Grenoble Alpes, FranceDirección de correo verificada de epfl.ch
Tomás PalaciosMITDirección de correo verificada de mit.edu
Andreas OffenhäusserForschungszentrum JülichDirección de correo verificada de fz-juelich.de
Jaume GazquezICMAB-CSICDirección de correo verificada de icmab.es
j. grajal de la fuenteUniversidad Politécnica de MadridDirección de correo verificada de gmr.ssr.upm.es
Ulrich SchwarzProfessor, TU ChemnitzDirección de correo verificada de physik.tu-chemnitz.de
Lise LahourcadeLASPE @ EPFL - SwitzerlandDirección de correo verificada de epfl.ch
Silvia RamosUniversity of KentDirección de correo verificada de cond-mat.org
Guido FagliaUniversity of Brescia & CNR BresciaDirección de correo verificada de ing.unibs.it
PezoldtTU IlmenauDirección de correo verificada de tu-ilmenau.de
Richard S. Mullerprofessor of eecs university of california berkeleyDirección de correo verificada de eecs.berkeley.edu

Seguir

Martin Eickhoff

Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen

Dirección de correo verificada de ifp.uni-bremen.de

Solid state physics semiconductor physics physics of nanostructures biochemical sensors nanosensors


Título Ordenar por citas Ordenar por año Ordenar por título	Citado por Citado por	Año
Pyroelectric properties of Al (In) GaN/GaN hetero-and quantum well structures O Ambacher, J Majewski, C Miskys, A Link, M Hermann, M Eickhoff, ... Journal of physics: condensed matter 14 (13), 3399, 2002	1347	2002
Binary copper oxide semiconductors: From materials towards devices BK Meyer, A Polity, D Reppin, M Becker, P Hering, PJ Klar, T Sander, ... physica status solidi (b) 249 (8), 1487-1509, 2012	694	2012
pH response of GaN surfaces and its application for pH-sensitive field-effect transistors G Steinhoff, M Hermann, WJ Schaff, LF Eastman, M Stutzmann, M Eickhoff Applied Physics Letters 83 (1), 177-179, 2003	353	2003
Playing with polarity M Stutzmann, O Ambacher, M Eickhoff, U Karrer, A Lima Pimenta, ... physica status solidi (b) 228 (2), 505-512, 2001	274	2001
Gas sensitive GaN/AlGaN-heterostructures J Schalwig, G Müller, M Eickhoff, O Ambacher, M Stutzmann Sensors and Actuators B: Chemical 87 (3), 425-430, 2002	265	2002
Hydrogen response mechanism of Pt–GaN Schottky diodes J Schalwig, G Müller, U Karrer, M Eickhoff, O Ambacher, M Stutzmann, ... Applied Physics Letters 80 (7), 1222-1224, 2002	260	2002
GaN-based heterostructures for sensor applications M Stutzmann, G Steinhoff, M Eickhoff, O Ambacher, CE Nebel, J Schalwig, ... Diamond and related materials 11 (3-6), 886-891, 2002	233	2002
AlxGa1–xN—A new material system for biosensors G Steinhoff, O Purrucker, M Tanaka, M Stutzmann, M Eickhoff Advanced Functional Materials 13 (11), 841-846, 2003	197	2003
Polarity assignment in ZnTe, GaAs, ZnO, and GaN-AlN nanowires from direct dumbbell analysis M De La Mata, C Magen, J Gazquez, MIB Utama, M Heiss, S Lopatin, ... Nano letters 12 (5), 2579-2586, 2012	194	2012
Direct biofunctionalization of semiconductors: A survey M Stutzmann, JA Garrido, M Eickhoff, MS Brandt physica status solidi (a) 203 (14), 3424-3437, 2006	187	2006
Nucleation and growth of GaN nanorods on Si (111) surfaces by plasma-assisted molecular beam epitaxy-The influence of Si-and Mg-doping F Furtmayr, M Vielemeyer, M Stutzmann, J Arbiol, S Estradé, F Peirò, ... Journal of Applied Physics 104 (3), 034309, 2008	186	2008
Recording of cell action potentials with field-effect transistors G Steinhoff, B Baur, G Wrobel, S Ingebrandt, A Offenhäusser, A Dadgar, ... Applied physics letters 86 (3), 033901, 2005	182	2005
Chemical functionalization of GaN and AlN surfaces B Baur, G Steinhoff, J Hernando, O Purrucker, M Tanaka, B Nickel, ... Applied Physics Letters 87 (26), 263901, 2005	165	2005
Electronics and sensors based on pyroelectric AlGaN/GaN heterostructures–Part B: Sensor applications M Eickhoff, J Schalwig, G Steinhoff, O Weidemann, L Görgens, ... physica status solidi (c), 1908-1918, 2003	156	2003
Influence of surface oxides on hydrogen-sensitive Pd: GaN Schottky diodes O Weidemann, M Hermann, G Steinhoff, H Wingbrant, A Lloyd Spetz, ... Applied Physics Letters 83 (4), 773-775, 2003	136	2003
Tin-Assisted Synthesis of by Molecular Beam Epitaxy M Kracht, A Karg, J Schörmann, M Weinhold, D Zink, F Michel, M Rohnke, ... Physical Review Applied 8 (5), 054002, 2017	135	2017
Optical properties of Si-and Mg-doped gallium nitride nanowires grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy F Furtmayr, M Vielemeyer, M Stutzmann, A Laufer, BK Meyer, M Eickhoff Journal of Applied Physics 104 (7), 074309, 2008	131	2008
Group III-nitride-based gas sensors for combustion monitoring J Schalwig, G Müller, M Eickhoff, O Ambacher, M Stutzmann Materials Science and Engineering: B 93 (1-3), 207-214, 2002	131	2002
Optical properties and structural characteristics of ZnMgO grown by plasma assisted molecular beam epitaxy TA Wassner, B Laumer, S Maier, A Laufer, BK Meyer, M Stutzmann, ... Journal of Applied Physics 105 (2), 023505, 2009	122	2009
AlN/diamond heterojunction diodes CR Miskys, JA Garrido, CE Nebel, M Hermann, O Ambacher, M Eickhoff, ... Applied physics letters 82 (2), 290-292, 2003	122	2003

El sistema no puede realizar la operación en estos momentos. Inténtalo de nuevo más tarde.

Artículos 1–20

Citas por año

Citas duplicadas

Citas combinadas

Añadir coautoresCoautores

Seguir

Citado por

Coautores