Joël Eymery

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Coautores

Christophe DurandAsso. Professor-HDR, Université Grenoble Alpes, CEA, IRIG, PHELIQS-NPSCDirección de correo verificada de cea.fr
Maria TchernychevaResearcher at Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), CNRS, Universite Paris-SudDirección de correo verificada de u-psud.fr
Catherine Bougerol-(Chaillout)Directrice de recherche CNRSDirección de correo verificada de neel.cnrs.fr
Lorenzo RiguttiUniversity of Rouen NormandieDirección de correo verificada de univ-rouen.fr
Vincent Favre-NicolinESRF-The European Synchrotron (on leave from Univ. Grenoble Alpes)Dirección de correo verificada de esrf.fr
hezhi zhangDalian university of technologyDirección de correo verificada de dlut.edu.cn
Pascal GentileceaDirección de correo verificada de cea.fr
Gwénolé JacopinInstitut Néel - CNRS, Univ. Grenoble Alpes, FranceDirección de correo verificada de epfl.ch
damien salomonPost doctoral researcher at ESRFDirección de correo verificada de esrf.fr
Nan GUANPh.D. candidate @ C2N, Univ. Paris-Sud.Dirección de correo verificada de u-psud.fr
Jean-Luc ROUVIERECEADirección de correo verificada de cea.fr
Francois AndrieuCEA LETIDirección de correo verificada de cea.fr
Denis ButtardProfesseur Université Grenoble Alpes - CEA-INACDirección de correo verificada de cea.fr
Marie-Ingrid RichardCEA-Grenoble and ESRFDirección de correo verificada de esrf.fr
Tobias SchülliESRF Scientist in charge of Beamline ID01; Deputy Group Head of the X-ray Nanoprobe groupDirección de correo verificada de esrf.fr
jean-charles BarbeCEADirección de correo verificada de cea.fr
Maxime DuprazCNRS - Institut NéelDirección de correo verificada de esrf.fr
Lars SamuelsonProfessor in Physics, Lund UniversityDirección de correo verificada de ftf.lth.se
Andrés de Luna BugalloCentro de física aplicada y tecnología aplicada UNAMDirección de correo verificada de fata.unam.mx
Anna MukhtarovaCEA-GrenobleDirección de correo verificada de cea.fr

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Joël Eymery

UGA, CEA, IRIG-MEM, Nanostructure and X-Ray Radiation Lab. (HDR, Dr Res. CEA, Senior Expert)

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Semiconductor physics Nanoscience Synchrotron Nanowires MOVPE


Título Ordenar por citas Ordenar por año Ordenar por título	Citado por Citado por	Año
Nanowire-based one-dimensional electronics C Thelander, P Agarwal, S Brongersma, J Eymery, LF Feiner, A Forchel, ... Materials today 9 (10), 28-35, 2006	878	2006
Self-assembled growth of catalyst-free GaN wires by metal–organic vapour phase epitaxy R Köster, JS Hwang, C Durand, DLS Dang, J Eymery Nanotechnology 21 (1), 015602, 2009	234	2009
M-plane core–shell InGaN/GaN multiple-quantum-wells on GaN wires for electroluminescent devices R Koester, JS Hwang, D Salomon, X Chen, C Bougerol, JP Barnes, ... Nano letters 11 (11), 4839-4845, 2011	230	2011
Flexible light-emitting diodes based on vertical nitride nanowires X Dai, A Messanvi, H Zhang, C Durand, J Eymery, C Bougerol, FH Julien, ... Nano letters 15 (10), 6958-6964, 2015	208	2015
Integrated photonic platform based on InGaN/GaN nanowire emitters and detectors M Tchernycheva, A Messanvi, A de Luna Bugallo, G Jacopin, P Lavenus, ... Nano letters 14 (6), 3515-3520, 2014	195	2014
Homoepitaxial growth of catalyst-free GaN wires on N-polar substrates XJ Chen, G Perillat-Merceroz, D Sam-Giao, C Durand, J Eymery Applied Physics Letters 97 (15), 2010	170	2010
Composition of wide bandgap semiconductor materials and nanostructures measured by atom probe tomography and its dependence on the surface electric field L Mancini, N Amirifar, D Shinde, I Blum, M Gilbert, A Vella, F Vurpillot, ... The Journal of Physical Chemistry C 118 (41), 24136-24151, 2014	145	2014
Surface diffusion dewetting of thin solid films: Numerical method and application to Si∕ SiO 2 E Dornel, JC Barbe, F De Crécy, G Lacolle, J Eymery Physical Review B 73 (11), 115427, 2006	127	2006
Flexible white light emitting diodes based on nitride nanowires and nanophosphors N Guan, X Dai, A Messanvi, H Zhang, J Yan, E Gautier, C Bougerol, ... ACS photonics 3 (4), 597-603, 2016	101	2016
Ordering of Ge quantum dots with buried Si dislocation networks F Leroy, J Eymery, P Gentile, F Fournel Applied physics letters 80 (17), 3078-3080, 2002	95	2002
Accurate control of the misorientation angles in direct wafer bonding F Fournel, H Moriceau, B Aspar, K Rousseau, J Eymery, JL Rouviere, ... Applied physics letters 80 (5), 793-795, 2002	89	2002
Analysis of strain and stacking faults in single nanowires using Bragg coherent diffraction imaging V Favre-Nicolin, F Mastropietro, J Eymery, D Camacho, YM Niquet, ... New Journal of Physics 12 (3), 035013, 2010	88	2010
Nanoscaled MOSFET Transistors on Strained Si, SiGe, Ge Layers: Some Integration and Electrical Properties Features TP Ernst, F Andrieu, O Weber, JM Hartmann, C Dupre, O Faynot, ... ECS Transactions 3 (7), 947, 2006	88	2006
Flexible photodiodes based on nitride core/shell p–n junction nanowires H Zhang, X Dai, N Guan, A Messanvi, V Neplokh, V Piazza, M Vallo, ... ACS applied materials & interfaces 8 (39), 26198-26206, 2016	80	2016
Inversion domain boundaries in GaN wires revealed by coherent Bragg imaging S Labat, MI Richard, M Dupraz, M Gailhanou, G Beutier, M Verdier, ... ACS nano 9 (9), 9210-9216, 2015	77	2015
X-ray scattering study of hydrogen implantation in silicon N Sousbie, L Capello, J Eymery, F Rieutord, C Lagahe Journal of applied physics 99 (10), 2006	77	2006
Correlation of microphotoluminescence spectroscopy, scanning transmission electron microscopy, and atom probe tomography on a single nano-object containing an InGaN/GaN … L Rigutti, I Blum, D Shinde, D Hernández-Maldonado, W Lefebvre, ... Nano letters 14 (1), 107-114, 2014	75	2014
Single-wire photodetectors based on InGaN/GaN radial quantum wells in GaN wires grown by catalyst-free metal-organic vapor phase epitaxy A Bugallo, L Rigutti, G Jacopin, FH Julien, C Durand, XJ Chen, ... Applied Physics Letters 98 (23), 2011	74	2011
Effect of the quantum well thickness on the performance of InGaN photovoltaic cells L Redaelli, A Mukhtarova, S Valdueza-Felip, A Ajay, C Bougerol, ... Applied Physics Letters 105 (13), 2014	73	2014
Single-Wire Light-Emitting Diodes Based on GaN Wires Containing Both Polar and Nonpolar InGaN/GaN Quantum Wells G Jacopin, ADL Bugallo, P Lavenus, J Lorenzo Rigutti, François H., ... APPLIED PHYSICS EXPRESS 5 (1), 014101, 2012	73	2012

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