Juan A. López-Villanueva

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Coautores

Francisco GamizProfessor of ElectronicsDirección de correo verificada de ugr.es
Juan B. RoldánDepartment of Electronics and Computer Technology. Granada University (Spain)Dirección de correo verificada de ugr.es
Alberto J PalmaFull Professor of Electronics (Univ of Granada - Spain)Dirección de correo verificada de ugr.es
Jesús BanqueriUniversity of GranadaDirección de correo verificada de ugr.es
Andres GodoyUniversidad de GranadaDirección de correo verificada de ugr.es
Pedro Cartujo CassinelloProfesor de Electrónica, Universidad de GranadaDirección de correo verificada de ugr.es
Almudena RivadeneyraMarie Curie FellowDirección de correo verificada de ugr.es
MJ DeenDistinguished University Professor, McMaster UniversityDirección de correo verificada de mcmaster.ca
José F. SalmerónPhD ResearcherDirección de correo verificada de tum.de
Luis Fermin Capitan-VallveyUniversity of GranadaDirección de correo verificada de ugr.es
Pilar Lopez VaroPostDoc, IPVFDirección de correo verificada de ipvf.fr
Francisco Jiménez-MolinosUniversidad de GranadaDirección de correo verificada de ugr.es
Manuel Agudo AcemelHp IncDirección de correo verificada de hp.com
K.M. AwawdehPalestine Technical University-KadoorieDirección de correo verificada de ptuk.edu.ps
M.A. CarvajalUniversidad de GranadaDirección de correo verificada de ugr.es
Antonio M. LallenaCatedrático. Universidad de GranadaDirección de correo verificada de ugr.es
Nathan JacksonUniversity of New Mexico, Arizona State University, Tyndall National InstituteDirección de correo verificada de asu.edu
Alan MathewsonUniversity College Cork , NMRC, Tyndall National InstituteDirección de correo verificada de tyndall.ie
Juan M. cuervaProfesor Química, universidad de granadaDirección de correo verificada de ugr.es
Antonio Martínez OlmosUniversidad de GranadaDirección de correo verificada de ugr.es

Juan A. López-Villanueva

Catedrático de Tecnología Electrónica, Universidad de Granada

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Dispositivos semiconductores dispositivos para generación y almacenamiento de energía sensores


Título Ordenar por citas Ordenar por año Ordenar por título	Citado por Citado por	Año
Surface roughness at the interfaces in fully depleted silicon-on-insulator inversion layers F Gamiz, JB Roldan, JA Lopez-Villanueva, P Cartujo-Cassinello, ... Journal of Applied Physics 86 (12), 6854-6863, 1999	141	1999
Quantum two-dimensional calculation of time constants of random telegraph signals in metal-oxide–semiconductor structures A Palma, A Godoy, JA Jimenez-Tejada, JE Carceller, ... Physical Review B 56 (15), 9565, 1997	141	1997
Physical model for trap-assisted inelastic tunneling in metal-oxide-semiconductor structures F Jiménez-Molinos, A Palma, F Gamiz, J Banqueri, JA Lopez-Villanueva Journal of Applied Physics 90 (7), 3396-3404, 2001	114	2001
Design and characterization of a low thermal drift capacitive humidity sensor by inkjet-printing A Rivadeneyra, J Fernández-Salmerón, M Agudo, JA López-Villanueva, ... Sensors and Actuators B: Chemical 195, 123-131, 2014	109	2014
A comprehensive model for Coulomb scattering in inversion layers F Gámiz, JA López‐Villanueva, JA Jiménez‐Tejada, I Melchor, A Palma Journal of applied physics 75 (2), 924-934, 1994	99	1994
Monte Carlo simulation of electron transport properties in extremely thin SOI MOSFET's F Gámiz, JA López-Villanueva, JB Roldán, JE Carceller, P Cartujo IEEE Transactions on Electron Devices 45 (5), 1122-1126, 1998	98	1998
Effects of the inversion-layer centroid on the performance of double-gate MOSFETs JA López-Villanueva, P Cartujo-Cassinello, F Gámiz, J Banqueri, ... IEEE Transactions on Electron Devices 47 (1), 141-146, 2000	97	2000
Evaluation of a low-cost commercial mosfet as radiation dosimeter LJ Asensio, MA Carvajal, JA Lopez-Villanueva, M Vilches, AM Lallena, ... Sensors and Actuators A: Physical 125 (2), 288-295, 2006	95	2006
Effects of the inversion layer centroid on MOSFET behavior JA Lopez-Villanueva, P Cartujo-Casinello, J Banqueri, F Gamiz, ... IEEE Transactions on Electron Devices 44 (11), 1915-1922, 1997	87	1997
Direct and trap-assisted elastic tunneling through ultrathin gate oxides F Jiménez-Molinos, F Gámiz, A Palma, P Cartujo, JA López-Villanueva Journal of Applied Physics 91 (8), 5116-5124, 2002	83	2002
Role of surface-roughness scattering in double gate silicon-on-insulator inversion layers F Gamiz, JB Roldán, P Cartujo-Cassinello, JA López-Villanueva, ... Journal of Applied Physics 89 (3), 1764-1770, 2001	79	2001
Universality of electron mobility curves in MOSFETs: A Monte Carlo study F Gamiz, JA Lopez-Villanueva, J Banqueri, JE Carceller, P Cartujo IEEE transactions on electron devices 42 (2), 258-265, 1995	73	1995
A Monte Carlo study on the electron‐transport properties of high‐performance strained‐Si on relaxed Si_1−xGe_x channel MOSFETs JB Roldán, F Gámiz, JA López‐Villanueva, JE Carceller Journal of applied physics 80 (9), 5121-5128, 1996	69	1996
Modeling effects of electron-velocity overshoot in a MOSFET JB Roldan, F Gamiz, JA Lopez-Villanueva, JE Carceller IEEE Transactions on Electron Devices 44 (5), 841-846, 1997	63	1997
Electron mobility in extremely thin single-gate silicon-on-insulator inversion layers F Gamiz, JB Roldán, P Cartujo-Cassinello, JE Carceller, ... Journal of applied physics 86 (11), 6269-6275, 1999	60	1999
A simple subthreshold swing model for short channel MOSFETs A Godoy, JA López-Villanueva, JA Jiménez-Tejada, A Palma, F Gámiz Solid-State Electronics 45 (3), 391-397, 2001	59	2001
Hole confinement and energy subbands in a silicon inversion layer using the effective mass theory S Rodrıguez, JA López-Villanueva, I Melchor, JE Carceller Journal of applied physics 86 (1), 438-444, 1999	57	1999
Modified Schrödinger equation including nonparabolicity for the study of a two-dimensional electron gas JA Lo, I Melchor, P Cartujo, JE Carceller Physical Review B 48 (3), 1626, 1993	54	1993
Printed electrodes structures as capacitive humidity sensors: A comparison A Rivadeneyra, J Fernández-Salmerón, M Agudo-Acemel, ... Sensors and Actuators A: Physical 244, 56-65, 2016	50	2016
A novel electrode structure compared with interdigitated electrodes as capacitive sensor A Rivadeneyra, J Fernández-Salmerón, J Banqueri, JA López-Villanueva, ... Sensors and Actuators B: Chemical 204, 552-560, 2014	50	2014

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