Juan A. López-Villanueva - Citas de Google Académico

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Coautores

Francisco GamizProfessor of ElectronicsDirección de correo verificada de ugr.es
Juan B. RoldánDepartment of Electronics and Computer Technology. University of Granada (Spain)Dirección de correo verificada de ugr.es
Alberto J PalmaFull Professor of Electronics (Univ of Granada - Spain)Dirección de correo verificada de ugr.es
Jesús BanqueriUniversity of GranadaDirección de correo verificada de ugr.es
Andres GodoyUniversidad de GranadaDirección de correo verificada de ugr.es
Pedro Cartujo CassinelloProfesor de Electrónica, Universidad de GranadaDirección de correo verificada de ugr.es
MJ DeenDistinguished University Professor, McMaster UniversityDirección de correo verificada de mcmaster.ca
Almudena RivadeneyraExperienced ResearcherDirección de correo verificada de ugr.es
José F. SalmerónPhD ResearcherDirección de correo verificada de tum.de
Luis Fermin Capitan-VallveyUniversity of GranadaDirección de correo verificada de ugr.es
Pilar Lopez VaroPostDoc, IPVFDirección de correo verificada de ipvf.fr
Francisco Jiménez-MolinosUniversidad de GranadaDirección de correo verificada de ugr.es
K.M. AwawdehPalestine Technical University-KadoorieDirección de correo verificada de ptuk.edu.ps
M.A. CarvajalUniversidad de GranadaDirección de correo verificada de ugr.es
Antonio M. LallenaCatedrático. Universidad de GranadaDirección de correo verificada de ugr.es
Nathan JacksonUniversity of New Mexico, Arizona State University, Tyndall National InstituteDirección de correo verificada de asu.edu
Alan MathewsonUniversity College Cork , NMRC, Tyndall National InstituteDirección de correo verificada de tyndall.ie
Juan M. cuervaProfesor Química, universidad de granadaDirección de correo verificada de ugr.es
Antonio Martínez OlmosUniversidad de GranadaDirección de correo verificada de ugr.es
Diego P. MoralesTenured Professor at University of GranadaDirección de correo verificada de ugr.es

Juan A. López-Villanueva

Catedrático de Tecnología Electrónica, Universidad de Granada

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Dispositivos semiconductores dispositivos para generación y almacenamiento de energía sensores


Título	Citado por	Año
Surface roughness at the interfaces in fully depleted silicon-on-insulator inversion layers F Gamiz, JB Roldan, JA Lopez-Villanueva, P Cartujo-Cassinello, ... Journal of Applied Physics 86 (12), 6854-6863, 1999	136	1999
Quantum two-dimensional calculation of time constants of random telegraph signals in metal-oxide–semiconductor structures A Palma, A Godoy, JA Jimenez-Tejada, JE Carceller, ... Physical Review B 56 (15), 9565, 1997	133	1997
Physical model for trap-assisted inelastic tunneling in metal-oxide-semiconductor structures F Jiménez-Molinos, A Palma, F Gamiz, J Banqueri, JA Lopez-Villanueva Journal of Applied Physics 90 (7), 3396-3404, 2001	104	2001
Monte Carlo simulation of electron transport properties in extremely thin SOI MOSFET's F Gámiz, JA López-Villanueva, JB Roldán, JE Carceller, P Cartujo IEEE Transactions on Electron Devices 45 (5), 1122-1126, 1998	97	1998
A comprehensive model for Coulomb scattering in inversion layers F Gámiz, JA López‐Villanueva, JA Jiménez‐Tejada, I Melchor, A Palma Journal of applied physics 75 (2), 924-934, 1994	96	1994
Effects of the inversion-layer centroid on the performance of double-gate MOSFETs JA López-Villanueva, P Cartujo-Cassinello, F Gámiz, J Banqueri, ... IEEE Transactions on Electron Devices 47 (1), 141-146, 2000	93	2000
Design and characterization of a low thermal drift capacitive humidity sensor by inkjet-printing A Rivadeneyra, J Fernández-Salmerón, M Agudo, JA López-Villanueva, ... Sensors and Actuators B: Chemical 195, 123-131, 2014	90	2014
Evaluation of a low-cost commercial mosfet as radiation dosimeter LJ Asensio, MA Carvajal, JA López-Villanueva, M Vilches, AM Lallena, ... Sensors and Actuators A: Physical 125 (2), 288-295, 2006	89	2006
Effects of the inversion layer centroid on MOSFET behavior JA López-Villanueva, P Cartujo-Casinello, J Banqueri, F Gamiz, ... IEEE Transactions on Electron Devices 44 (11), 1915-1922, 1997	85	1997
Role of surface-roughness scattering in double gate silicon-on-insulator inversion layers F Gamiz, JB Roldán, P Cartujo-Cassinello, JA López-Villanueva, ... Journal of Applied Physics 89 (3), 1764-1770, 2001	77	2001
Direct and trap-assisted elastic tunneling through ultrathin gate oxides F Jiménez-Molinos, F Gámiz, A Palma, P Cartujo, JA López-Villanueva Journal of Applied Physics 91 (8), 5116-5124, 2002	72	2002
Universality of electron mobility curves in MOSFETs: A Monte Carlo study F Gamiz, JA López-Villanueva, J Banqueri, JE Carceller, P Cartujo IEEE transactions on electron devices 42 (2), 258-265, 1995	70	1995
A Monte Carlo study on the electron‐transport properties of high‐performance strained‐Si on relaxed Si_1−xGe_x channel MOSFETs JB Roldán, F Gámiz, JA López‐Villanueva, JE Carceller Journal of applied physics 80 (9), 5121-5128, 1996	67	1996
Hole confinement and energy subbands in a silicon inversion layer using the effective mass theory S Rodrıguez, JA López-Villanueva, I Melchor, JE Carceller Journal of applied physics 86 (1), 438-444, 1999	59	1999
Electron mobility in extremely thin single-gate silicon-on-insulator inversion layers F Gamiz, JB Roldan, P Cartujo-Cassinello, JE Carceller, ... Journal of applied physics 86 (11), 6269-6275, 1999	57	1999
Modeling effects of electron-velocity overshoot in a MOSFET JB Roldan, F Gamiz, JA Lopez-Villanueva, JE Carceller IEEE Transactions on Electron Devices 44 (5), 841-846, 1997	57	1997
Modified Schrödinger equation including nonparabolicity for the study of a two-dimensional electron gas JA Lo, I Melchor, P Cartujo, JE Carceller Physical Review B 48 (3), 1626, 1993	53	1993
A simple subthreshold swing model for short channel MOSFETs A Godoy, JA López-Villanueva, JA Jiménez-Tejada, A Palma, F Gámiz Solid-State Electronics 45 (3), 391-397, 2001	52	2001
Analysis of the effects of constant‐current Fowler–Nordheim‐tunneling injection with charge trapping inside the potential barrier JA Lopez‐Villanueva, JA Jimenez‐Tejada, P Cartujo, J Bausells, ... Journal of applied physics 70 (7), 3712-3720, 1991	48	1991
A model for the quantized accumulation layer in metal-insulator-semiconductor structures JA López-Villanueva, I Melchor, F Gámiz, J Banqueri, JA Jiménez-Tejada Solid-state electronics 38 (1), 203-210, 1995	46	1995

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