Oliver Brandt

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Coautores

Holger T. GrahnPaul-Drude-Institut für FestkörperelektronikDirección de correo verificada de pdi-berlin.de
Sergio Fernández-GarridoAssociate Professor in Materials Science and ERC-CoG Grantee at Universidad Politécnica de MadridDirección de correo verificada de upm.es
Henning RiechertDirector, Paul-Drude-Institut für FestkörperelektronikDirección de correo verificada de pdi-berlin.de
Jonas LähnemannWissenschaftlicher Mitarbeiter, Paul-Drude-Institut für FestkörperelektronikDirección de correo verificada de pdi-berlin.de
Carsten PfüllerPost Doc, Paul-Drude-InstitutDirección de correo verificada de pdi-berlin.de
Vladimir KaganerPaul-Drude-Institut für FestkörperelektronikDirección de correo verificada de pdi-berlin.de
Pierre CorfdirABB Corporate ResearchDirección de correo verificada de ch.abb.com
Subhabrata DharIndian Institute of Technology BombayDirección de correo verificada de phy.iitb.ac.in
Bernd JenichenPaul-Drude-InstitutDirección de correo verificada de pdi-berlin.de
YueJun SunASMLDirección de correo verificada de asml.com
Leander TapferENEADirección de correo verificada de enea.it
Caroline ChèzeDirección de correo verificada de pdi-berlin.de
Dr. Christian HauswaldDeutsche Bahn AG - Digitale Schiene DeutschlandDirección de correo verificada de deutschebahn.com
Raffaella CalarcoCNR-IMMDirección de correo verificada de cnr.it
Pranob MisraMeta - Reality LabsDirección de correo verificada de meta.com
sabelfeldИнститут вычислительной математики и математической геофизики СОDirección de correo verificada de osmf.sscc.ru
Oliver MarquardtPaul-Drude-Institut fuer Festkörperelektronik BerlinDirección de correo verificada de pdi-berlin.de
Johannes K ZettlerLayTec AGDirección de correo verificada de laytec.de
Pınar DoğanAssistant Professor, Department of Electrical and Electronics Engineering, Mugla Sitki KocmanDirección de correo verificada de mu.edu.tr
Sandip GhoshTata Institute of Fundamental ResearchDirección de correo verificada de tifr.res.in

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Oliver Brandt

Senior scientist, Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik

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Semiconductor physics Materials science Nanostructures


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Nitride semiconductors free of electrostatic fields for efficient white light-emitting diodes P Waltereit, O Brandt, A Trampert, HT Grahn, J Menniger, M Ramsteiner, ... nature 406 (6798), 865-868, 2000	2194	2000
Colossal magnetic moment of Gd in GaN S Dhar, O Brandt, M Ramsteiner, VF Sapega, KH Ploog Physical Review Letters 94 (3), 037205, 2005	439	2005
Electronic band structure of wurtzite GaN under biaxial strain in the M plane investigated with photoreflectance spectroscopy S Ghosh, P Waltereit, O Brandt, HT Grahn, KH Ploog Physical Review-Section B-Condensed Matter 65 (7), 75202-75202, 2002	346	2002
X-ray diffraction peak profiles from threading dislocations in GaN epitaxial films VM Kaganer, O Brandt, A Trampert, KH Ploog Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 72 (4), 045423, 2005	262	2005
Suitability of Au-and self-assisted GaAs nanowires for optoelectronic applications S Breuer, C Pfuller, T Flissikowski, O Brandt, HT Grahn, L Geelhaar, ... Nano letters 11 (3), 1276-1279, 2011	251	2011
Direct measurement of local lattice distortions in strained layer structures by HREM R Bierwolf, M Hohenstein, F Phillipp, O Brandt, GE Crook, K Ploog Ultramicroscopy 49 (1-4), 273-285, 1993	247	1993
Origin of high-temperature ferromagnetism in (Ga,Mn)N layers grown on 4H–SiC(0001) by reactive molecular-beam epitaxy S Dhar, O Brandt, A Trampert, L Daweritz, KJ Friedland, KH Ploog, ... Applied physics letters 82 (13), 2077-2079, 2003	246	2003
Surface reconstructions of zinc-blende GaN/GaAs (001) in plasma-assisted molecular-beam epitaxy O Brandt, H Yang, B Jenichen, Y Suzuki, L Däweritz, KH Ploog Physical Review B 52 (4), R2253, 1995	214	1995
Direct comparison of catalyst-free and catalyst-induced GaN nanowires C Chèze, L Geelhaar, O Brandt, WM Weber, H Riechert, S Münch, ... Nano Research 3, 528-536, 2010	206	2010
Identification of optical transitions in cubic and hexagonal GaN by spatially resolved cathodoluminescence J Menniger, U Jahn, O Brandt, H Yang, K Ploog Physical Review B 53 (4), 1881, 1996	199*	1996
Impact of nucleation conditions on the structural and optical properties of M-plane GaN (1-100) grown on γ-LiAlO2 YJ Sun, O Brandt, U Jahn, TY Liu, A Trampert, S Cronenberg, S Dhar, ... Journal of applied physics 92 (10), 5714-5719, 2002	194	2002
High p‐type conductivity in cubic GaN/GaAs (113) A by using Be as the acceptor and O as the codopant O Brandt, H Yang, H Kostial, KH Ploog Applied physics letters 69 (18), 2707-2709, 1996	191	1996
Growth of M-plane GaN (1-100) on γ-LiAlO2(100) P Waltereit, O Brandt, M Ramsteiner, R Uecker, P Reiche, KH Ploog Journal of crystal growth 218 (2), 143-147, 2000	189	2000
Gd-doped GaN: A very dilute ferromagnetic semiconductor with a Curie temperature above 300 K S Dhar, L Pérez, O Brandt, A Trampert, KH Ploog, J Keller, B Beschoten Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 72 (24), 245203, 2005	181	2005
Influence of AlN nucleation layers on growth mode and strain relief of GaN grown on 6H–SiC (0001) P Waltereit, O Brandt, A Trampert, M Ramsteiner, M Reiche, M Qi, ... Applied physics letters 74 (24), 3660-3662, 1999	161	1999
Optical phonons of hexagonal and cubic GaN studied by infrared transmission and Raman spectroscopy M Giehler, M Ramsteiner, O Brandt, H Yang, KH Ploog Applied physics letters 67 (6), 733-735, 1995	158	1995
Luminescence associated with stacking faults in GaN J Lähnemann, U Jahn, O Brandt, T Flissikowski, P Dogan, HT Grahn Journal of Physics D: Applied Physics 47 (42), 423001, 2014	155	2014
Luminescence of GaAs nanowires consisting of wurtzite and zinc-blende segments U Jahn, J Lähnemann, C Pfüller, O Brandt, S Breuer, B Jenichen, ... Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 85 (4), 045323, 2012	150	2012
Sub-meV linewidth of excitonic luminescence in single GaN nanowires: Direct evidence for surface excitons O Brandt, C Pfüller, C Chèze, L Geelhaar, H Riechert Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 81 (4), 045302, 2010	150	2010
Polarity in GaN and ZnO: Theory, measurement, growth, and devices J Zuniga-Perez, V Consonni, L Lymperakis, X Kong, A Trampert, ... Applied Physics Reviews 3 (4), 2016	147	2016

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