CARLOS SAMPEDRO MATARIN

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Coautores

Francisco GamizProfessor of ElectronicsDirección de correo verificada de ugr.es
Andres GodoyUniversidad de GranadaDirección de correo verificada de ugr.es
Luca DonettiDepartamento de Electrónica, Universidad de GranadaDirección de correo verificada de ugr.es
Francisco G. RuizTenured Professor, University of GranadaDirección de correo verificada de ugr.es
Noel RodriguezFull Professor of Electronics at University of GranadaDirección de correo verificada de ugr.es
Carlos NavarroDept. Electrónica y Tecnología de Computadores. Universidad de GranadaDirección de correo verificada de ugr.es
a asenovThe University of GlasgowDirección de correo verificada de glasgow.ac.uk
Carlos MarquezUniversity of Granada, CITIC-UGR, Department of ElectronicsDirección de correo verificada de ugr.es
Valin RaulFujitsu Laboratories of EuropeDirección de correo verificada de raulvalin.es
Vihar P. GeorgievProfessor of Nanoelectronics at University of GlasgowDirección de correo verificada de glasgow.ac.uk
Juan B. RoldánDepartment of Electronics and Computer Technology. Granada University (Spain)Dirección de correo verificada de ugr.es
Antonio Garcia-LoureiroDepartment of Electronics and Computer Science. Universidad de Santiago de CompostelaDirección de correo verificada de usc.es
Francisco Jiménez-MolinosUniversidad de GranadaDirección de correo verificada de ugr.es
José Luis Padilla de la TorreSenior Researcher, École Polytechnique Fédérale de LausanneDirección de correo verificada de epfl.ch
Heike RielIBM ResearchDirección de correo verificada de zurich.ibm.com
Isabel M. Tienda LunaUniversity GranadaDirección de correo verificada de ugr.es
Siegfried KargIBM Research Europe - ZurichDirección de correo verificada de zurich.ibm.com
Cristoloveanu, SorinGrenoble INPDirección de correo verificada de grenoble-inp.fr
Yong-Tae KimPOSTECHDirección de correo verificada de postech.ac.kr
Jose Carlos Galdón GilLaboratory technician, University of GranadaDirección de correo verificada de ugr.es

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CARLOS SAMPEDRO MATARIN

Full Professor, Universidad de Granada, Spain

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Título Ordenar por citas Ordenar por año Ordenar por título	Citado por Citado por	Año
A comprehensive study of the corner effects in Pi-gate MOSFETs including quantum effects FJG Ruiz, A Godoy, F Gamiz, C Sampedro, L Donetti IEEE Transactions on Electron Devices 54 (12), 3369-3377, 2007	95	2007
Multi-subband Monte Carlo study of device orientation effects in ultra-short channel DGSOI C Sampedro, F Gámiz, A Godoy, R Valin, A Garcia-Loureiro, FG Ruiz Solid-State Electronics 54 (2), 131-136, 2010	53	2010
Influence of acoustic phonon confinement on electron mobility in ultrathin silicon on insulator layers L Donetti, F Gámiz, N Rodriguez, F Jimenez, C Sampedro Applied physics letters 88 (12), 2006	47	2006
An Analytical – Model for Surrounding-Gate Transistors That Includes Quantum and Velocity Overshoot Effects JB Roldán, F Gamiz, F Jiménez-Molinos, C Sampedro, A Godoy, ... IEEE transactions on electron devices 57 (11), 2925-2933, 2010	42	2010
-FET as Capacitor-Less eDRAM Cell For High-Density Integration C Navarro, M Duan, MS Parihar, F Adamu-Lema, S Coseman, J Lacord, ... IEEE Transactions on Electron Devices 64 (12), 4904-4909, 2017	35	2017
The multivalley effective conduction band-edge method for Monte Carlo simulation of nanoscale structures C Sampedro-Matarín, F Gámiz, A Godoy, FJG Ruiz IEEE Transactions on Electron Devices 53 (11), 2703-2710, 2006	34	2006
Quantum-mechanical effects in multiple-gate MOSFETs A Godoy, A Ruiz-Gallardo, C Sampedro, F Gámiz Journal of Computational Electronics 6, 145-148, 2007	28	2007
On the extension of ET-FDSOI roadmap for 22 nm node and beyond C Sampedro, F Gámiz, A Godoy Solid-state electronics 90, 23-27, 2013	24	2013
Reaching sub-32nm nodes: ET-FDSOI and BOX optimization C Sampedro, F Gámiz, L Donetti, A Godoy Solid-State Electronics 70, 101-105, 2012	24	2012
Multi-subband ensemble Monte Carlo simulation of bulk MOSFETs for the 32nm-node and beyond C Sampedro, F Gámiz, A Godoy, R Valín, A García-Loureiro, N Rodríguez, ... Solid-State Electronics 65, 88-93, 2011	24	2011
Calculation of the phonon-limited mobility in silicon Gate All-Around MOSFETs A Godoy, F Ruiz, C Sampedro, F Gámiz, U Ravaioli Solid-State Electronics 51 (9), 1211-1215, 2007	21	2007
InGaAs capacitor-less DRAM cells TCAD demonstration C Navarro, S Navarro, C Marquez, L Donetti, C Sampedro, S Karg, H Riel, ... IEEE Journal of the Electron Devices Society 6, 884-892, 2018	17	2018
Modeling the channel charge and potential in quasi-ballistic nanoscale double-gate MOSFETs A Mangla, JM Sallese, C Sampedro, F Gamiz, C Enz IEEE Transactions on Electron Devices 61 (8), 2640-2646, 2014	17	2014
Compact drain-current model for reproducing advanced transport models in nanoscale double-gate MOSFETs M Cheralathan, C Sampedro, JB Roldán, F Gámiz, G Iannaccone, ... Semiconductor science and technology 26 (9), 095015, 2011	17	2011
Multisubband Ensemble Monte Carlo Analysis of Tunneling Leakage Mechanisms in Ultrascaled FDSOI, DGSOI, and FinFET Devices C Medina-Bailon, JL Padilla, T Sadi, C Sampedro, A Godoy, L Donetti, ... IEEE Transactions on Electron Devices 66 (3), 1145-1152, 2019	16	2019
A parallel deterministic solver for the Schrödinger–Poisson–Boltzmann system in ultra-short DG-MOSFETs: Comparison with Monte-Carlo F Vecil, JM Mantas, MJ Cáceres, C Sampedro, A Godoy, F Gámiz Computers & Mathematics with Applications 67 (9), 1703-1721, 2014	14	2014
Source-to-drain tunneling analysis in FDSOI, DGSOI, and FinFET devices by means of multisubband ensemble Monte Carlo C Medina-Bailon, JL Padilla, C Sampedro, A Godoy, L Donetti, F Gamiz IEEE Transactions on Electron Devices 65 (11), 4740-4746, 2018	13	2018
MS-EMC vs. NEGF: A comparative study accounting for transport quantum corrections C Medina-Bailon, C Sampedro, JL Padilla, A Godoy, L Donetti, F Gamiz, ... 2018 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on …, 2018	13	2018
3d multi-subband ensemble Monte Carlo simulator of FinFETs and nanowire transistors C Sampedro, L Donetti, F Gamiz, A Godoy, FJ Garcia-Ruiz, VP Georgiev, ... 2014 International conference on simulation of semiconductor processes and …, 2014	12	2014
Two-dimensional Monte Carlo simulation of DGSOI MOSFET misalignment R Valin, C Sampedro, M Aldegunde, A Garcia-Loureiro, N Seoane, ... IEEE Transactions on Electron Devices 59 (6), 1621-1628, 2012	12	2012

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