Marko J. Tadjer

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Travis J. AndersonUniversity of FloridaDirección de correo verificada de che.ufl.edu
Stephen PeartonProfessor of Materials Science and Engineering, University of FloridaDirección de correo verificada de mse.ufl.edu
Andrew D. KoehlerNaval Research LaboratoryDirección de correo verificada de nrl.navy.mil
Fan RenUniversity of Florida, Bell Lab, AT&TDirección de correo verificada de che.ufl.edu
C.R. Eddy, Jr.U.S. Naval Research LaboratoryDirección de correo verificada de nrl.navy.mil
Michael MastroUS Naval Research LabDirección de correo verificada de us.navy.mil
Francis KubNaval Research LaboratoryDirección de correo verificada de ieee.org
Jiancheng Yang. PhDKeysight TechnologiesDirección de correo verificada de keysight.com
Joshua D. CaldwellVanderbilt UniversityDirección de correo verificada de vanderbilt.edu
Alan G. JacobsNaval Research LaboratoryDirección de correo verificada de cornell.edu
Jihyun KimSeoul National UniversityDirección de correo verificada de snu.ac.kr
Chaker FaresPhD. Student, University of FloridaDirección de correo verificada de ufl.edu
Nadeemullah MahadikNaval Research LaboratoryDirección de correo verificada de nrl.navy.mil
Yuhao ZhangUniversity of Hong KongDirección de correo verificada de hku.hk
Boris Feigelson and Boris FeygelsonU.S. Naval Research LaboratoryDirección de correo verificada de nrl.navy.mil
Minghan XianMicron Technology; University of Florida; University of DelawareDirección de correo verificada de ufl.edu
M. GoorskyUniversity of California, Los AngelesDirección de correo verificada de seas.ucla.edu
Jordan GreenleeMicron TechnologyDirección de correo verificada de gatech.edu
Fernando CalleProfesor, Universidad Politécnica de MadridDirección de correo verificada de upm.es
Samuel GrahamUniversity of MarylandDirección de correo verificada de umd.edu

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III-Nitrides III-Oxides diamond semiconductor devices power electronics


Título Ordenar por citas Ordenar por año Ordenar por título	Citado por Citado por	Año
A review of Ga2O3 materials, processing, and devices SJ Pearton, J Yang, PH Cary, F Ren, J Kim, MJ Tadjer, MA Mastro Applied Physics Reviews 5 (1), 2018	2646	2018
Ultrawide‐bandgap semiconductors: research opportunities and challenges JY Tsao, S Chowdhury, MA Hollis, D Jena, NM Johnson, KA Jones, ... Advanced Electronic Materials 4 (1), 1600501, 2018	1362	2018
Perspective: Ga2O3 for ultra-high power rectifiers and MOSFETS SJ Pearton, F Ren, M Tadjer, J Kim Journal of Applied Physics 124 (22), 2018	610	2018
Technique for the dry transfer of epitaxial graphene onto arbitrary substrates JD Caldwell, TJ Anderson, JC Culbertson, GG Jernigan, KD Hobart, ... ACS nano 4 (2), 1108-1114, 2010	293	2010
Homoepitaxial growth of β-Ga2O3 thin films by low pressure chemical vapor deposition S Rafique, L Han, MJ Tadjer, JA Freitas, NA Mahadik, H Zhao Applied Physics Letters 108 (18), 2016	245	2016
2300V reverse breakdown voltage Ga2O3 Schottky rectifiers J Yang, F Ren, M Tadjer, SJ Pearton, A Kuramata ECS Journal of Solid State Science and Technology 7 (5), Q92, 2018	234	2018
A review of band structure and material properties of transparent conducting and semiconducting oxides: Ga2O3, Al2O3, In2O3, ZnO, SnO2, CdO, NiO, CuO, and Sc2O3 JA Spencer, AL Mock, AG Jacobs, M Schubert, Y Zhang, MJ Tadjer Applied Physics Reviews 9 (1), 011315, 2022	223	2022
Editors' Choice—Review—Theory and Characterization of Doping and Defects in β-Ga₂O₃ MJ Tadjer, JL Lyons, N Nepal, JA Freitas, AD Koehler, GM Foster ECS Journal of Solid State Science and Technology 8 (7), Q3187-Q3194, 2019	218	2019
Vertical Ga₂O₃ Schottky Barrier Diodes With Small-Angle Beveled Field Plates: A Baliga’s Figure-of-Merit of 0.6 GW/cm² N Allen, M Xiao, X Yan, K Sasaki, MJ Tadjer, J Ma, R Zhang, H Wang, ... IEEE Electron Device Letters 40 (9), 1399-1402, 2019	195	2019
Quantifying pulsed laser induced damage to graphene M Currie, JD Caldwell, FJ Bezares, J Robinson, T Anderson, H Chun, ... Applied Physics Letters 99 (21), 2011	188	2011
Vertical GaN junction barrier Schottky rectifiers by selective ion implantation Y Zhang, Z Liu, MJ Tadjer, M Sun, D Piedra, C Hatem, TJ Anderson, ... IEEE Electron Device Letters 38 (8), 1097-1100, 2017	174	2017
Reduced self-heating in AlGaN/GaN HEMTs using nanocrystalline diamond heat-spreading films MJ Tadjer, TJ Anderson, KD Hobart, TI Feygelson, JD Caldwell, CR Eddy, ... IEEE electron device letters 33 (1), 23-25, 2011	165	2011
A (001) β-Ga2O3 MOSFET with+ 2.9 V threshold voltage and HfO2 gate dielectric MJ Tadjer, NA Mahadik, VD Wheeler, ER Glaser, L Ruppalt, AD Koehler, ... ECS Journal of Solid State Science and Technology 5 (9), P468, 2016	160	2016
Heteroepitaxy of N-type β-Ga2O3 thin films on sapphire substrate by low pressure chemical vapor deposition S Rafique, L Han, AT Neal, S Mou, MJ Tadjer, RH French, H Zhao Applied Physics Letters 109 (13), 2016	157	2016
Structural, Optical, and Electrical Characterization of Monoclinic β-Ga₂O₃ Grown by MOVPE on Sapphire Substrates MJ Tadjer, MA Mastro, NA Mahadik, M Currie, VD Wheeler, JA Freitas, ... Journal of Electronic Materials 45, 2031-2037, 2016	152	2016
Thermal conductance across β-Ga2O3-diamond van der Waals heterogeneous interfaces Z Cheng, L Yates, J Shi, MJ Tadjer, KD Hobart, S Graham Apl Materials 7 (3), 2019	130	2019
Quasi-Two-Dimensional h-BN/β-Ga₂O₃ Heterostructure Metal–Insulator–Semiconductor Field-Effect Transistor J Kim, MA Mastro, MJ Tadjer, J Kim ACS applied materials & interfaces 9 (25), 21322-21327, 2017	126	2017
Activation of Mg implanted in GaN by multicycle rapid thermal annealing TJ Anderson, BN Feigelson, FJ Kub, MJ Tadjer, KD Hobart, MA Mastro, ... Electronics Letters 50 (3), 197-198, 2014	114	2014
Solar-blind metal-semiconductor-metal photodetectors based on an exfoliated β-Ga2O3 micro-flake S Oh, MA Mastro, MJ Tadjer, J Kim ECS Journal of Solid State Science and Technology 6 (8), Q79, 2017	112	2017
Heterostructure WSe₂−Ga₂O₃ Junction Field-Effect Transistor for Low-Dimensional High-Power Electronics J Kim, MA Mastro, MJ Tadjer, J Kim ACS applied materials & interfaces 10 (35), 29724-29729, 2018	108	2018

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