Marko J. Tadjer

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Travis J. AndersonNaval Research LaboratoryDirección de correo verificada de nrl.navy.mil
Andrew D. KoehlerNaval Research LaboratoryDirección de correo verificada de nrl.navy.mil
C.R. Eddy, Jr.Office of Naval Research Global - LondonDirección de correo verificada de nrl.navy.mil
Fan RenUniversity of Florida, Bell Lab, AT&TDirección de correo verificada de che.ufl.edu
Michael MastroUS Naval Research LabDirección de correo verificada de nrl.navy.mil
Stephen PeartonProfessor of Materials Science and Engineering, University of FloridaDirección de correo verificada de mse.ufl.edu
Francis KubNaval Research LaboratoryDirección de correo verificada de ieee.org
Joshua D. CaldwellVanderbilt UniversityDirección de correo verificada de vanderbilt.edu
Jiancheng Yang. PhDKeysight TechnologiesDirección de correo verificada de keysight.com
Jihyun KimSeoul National UniversityDirección de correo verificada de snu.ac.kr
Patrick H Carey IVUniversity of FloridaDirección de correo verificada de ufl.edu
Chaker FaresPhD. Student, University of FloridaDirección de correo verificada de ufl.edu
Nadeemullah MahadikNaval Research LaboratoryDirección de correo verificada de nrl.navy.mil
Boris Feigelson and Boris FeygelsonU.S. Naval Research LaboratoryDirección de correo verificada de nrl.navy.mil
Jordan GreenleeMicron TechnologyDirección de correo verificada de gatech.edu
Minghan XianMicron Technology; University of Florida; University of DelawareDirección de correo verificada de ufl.edu
M. GoorskyUniversity of California, Los AngelesDirección de correo verificada de seas.ucla.edu
Neeraj NepalUS Naval Research LaboratoryDirección de correo verificada de nrl.navy.mil
Anindya NathGlobalfoundries, US Naval Research LabDirección de correo verificada de gmu.edu
Samuel GrahamUniversity of MarylandDirección de correo verificada de umd.edu

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Título Ordenar por citas Ordenar por año Ordenar por título	Citado por Citado por	Año
A review of Ga₂O₃ materials, processing, and devices SJ Pearton, J Yang, PH Cary IV, F Ren, J Kim, MJ Tadjer, MA Mastro Applied Physics Reviews 5 (1), 011301, 2018	1328	2018
Ultrawide‐bandgap semiconductors: research opportunities and challenges JY Tsao, S Chowdhury, MA Hollis, D Jena, NM Johnson, KA Jones, ... Advanced Electronic Materials 4 (1), 1600501, 2018	652	2018
Perspective: Ga₂O₃ for ultra-high power rectifiers and MOSFETS SJ Pearton, F Ren, M Tadjer, J Kim Journal of Applied Physics 124 (22), 220901, 2018	294	2018
Technique for the dry transfer of epitaxial graphene onto arbitrary substrates JD Caldwell, TJ Anderson, JC Culbertson, GG Jernigan, KD Hobart, ... ACS nano 4 (2), 1108-1114, 2010	259	2010
Homoepitaxial growth of β-Ga₂O₃ thin films by low pressure chemical vapor deposition S Rafique, L Han, MJ Tadjer, JA Freitas Jr, NA Mahadik, H Zhao Applied Physics Letters 108 (18), 182105, 2016	177	2016
Quantifying pulsed laser induced damage to graphene M Currie, JD Caldwell, FJ Bezares, J Robinson, T Anderson, H Chun, ... Applied Physics Letters 99 (21), 211909, 2011	154	2011
2300V reverse breakdown voltage Ga2O3 Schottky rectifiers J Yang, F Ren, M Tadjer, SJ Pearton, A Kuramata ECS Journal of Solid State Science and Technology 7 (5), Q92, 2018	131	2018
A (001) β-Ga2O3 MOSFET with+ 2.9 V threshold voltage and HfO2 gate dielectric MJ Tadjer, NA Mahadik, VD Wheeler, ER Glaser, L Ruppalt, AD Koehler, ... ECS Journal of Solid State Science and Technology 5 (9), P468, 2016	131	2016
Reduced self-heating in AlGaN/GaN HEMTs using nanocrystalline diamond heat-spreading films MJ Tadjer, TJ Anderson, KD Hobart, TI Feygelson, JD Caldwell, CR Eddy, ... IEEE electron device letters 33 (1), 23-25, 2011	126	2011
Vertical GaN junction barrier Schottky rectifiers by selective ion implantation Y Zhang, Z Liu, MJ Tadjer, M Sun, D Piedra, C Hatem, TJ Anderson, ... IEEE Electron Device Letters 38 (8), 1097-1100, 2017	114	2017
Heteroepitaxy of N-type β-Ga₂O₃ thin films on sapphire substrate by low pressure chemical vapor deposition S Rafique, L Han, AT Neal, S Mou, MJ Tadjer, RH French, H Zhao Applied Physics Letters 109 (13), 132103, 2016	109	2016
Structural, optical, and electrical characterization of monoclinic β-Ga2O3 grown by MOVPE on sapphire substrates MJ Tadjer, MA Mastro, NA Mahadik, M Currie, VD Wheeler, JA Freitas, ... Journal of Electronic Materials 45 (4), 2031-2037, 2016	108	2016
Review—theory and characterization of doping and defects in β-Ga2O3 MJ Tadjer, JL Lyons, N Nepal, JA Freitas, AD Koehler, GM Foster ECS Journal of Solid State Science and Technology 8 (7), Q3187, 2019	103	2019
Activation of Mg implanted in GaN by multicycle rapid thermal annealing TJ Anderson, BN Feigelson, FJ Kub, MJ Tadjer, KD Hobart, MA Mastro, ... Electronics Letters 50 (3), 197-198, 2014	90	2014
Vertical Ga₂O₃ Schottky Barrier Diodes With Small-Angle Beveled Field Plates: A Baliga’s Figure-of-Merit of 0.6 GW/cm² N Allen, M Xiao, X Yan, K Sasaki, MJ Tadjer, J Ma, R Zhang, H Wang, ... IEEE Electron Device Letters 40 (9), 1399-1402, 2019	87	2019
Quasi-Two-Dimensional h-BN/β-Ga₂O₃ Heterostructure Metal–Insulator–Semiconductor Field-Effect Transistor J Kim, MA Mastro, MJ Tadjer, J Kim ACS applied materials & interfaces 9 (25), 21322-21327, 2017	84	2017
Solar-blind metal-semiconductor-metal photodetectors based on an exfoliated β-Ga2O3 micro-flake S Oh, MA Mastro, MJ Tadjer, J Kim ECS Journal of Solid State Science and Technology 6 (8), Q79, 2017	79	2017
Simulation of thermal management in AlGaN/GaN HEMTs with integrated diamond heat spreaders A Wang, MJ Tadjer, F Calle Semiconductor science and technology 28 (5), 055010, 2013	78	2013
Band alignments of atomic layer deposited ZrO2 and HfO2 high-k dielectrics with (-201) β-Ga2O3 VD Wheeler, DI Shahin, MJ Tadjer, CR Eddy ECS Journal of Solid State Science and Technology 6 (2), Q3052, 2016	68	2016
Thermal conductance across β-Ga2O3-diamond van der Waals heterogeneous interfaces Z Cheng, L Yates, J Shi, MJ Tadjer, KD Hobart, S Graham Apl Materials 7 (3), 031118, 2019	67	2019

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