Enrique Miranda

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Coautores

Jordi SuñéProfessor, IEEE Fellow, Universitat Autònoma de BarcelonaDirección de correo verificada de uab.cat
Francesca Campabadal SeguraInstitut de Microelectronica de Barcelona, IMB-CNM, CSICDirección de correo verificada de imb-cnm.csic.es
David JiménezProfessor at UAB (Universitat Autònoma de Barcelona)Dirección de correo verificada de uab.es
Mireia Bargalló GonzalezInstitut de Microelectrònica de Barcelona IMB-CNM (CSIC)Dirección de correo verificada de csic.es
Fernando Leonel AguirreSenior Device Engineer, Intrinsic Semiconductor Technologies Ltd.Dirección de correo verificada de intrinsicsemi.com
Mario LanzaIEEE Fellow | Associate Professor at National University of SingaporeDirección de correo verificada de kaust.edu.sa
Christian WengerIHP GmbH - Leibniz institute for innovative microelectronicsDirección de correo verificada de ihp-microelectronics.com
Juan B. RoldánDepartment of Electronics and Computer Technology. Granada University (Spain)Dirección de correo verificada de ugr.es
pk hurleyTyndall National Institute, University College CorkDirección de correo verificada de tyndall.ie
Francisco Jiménez-MolinosUniversidad de GranadaDirección de correo verificada de ugr.es
Felix PalumboConsejo de Investigaciones Cientificas y Tecnicas - UTNDirección de correo verificada de conicet.gov.ar
Thomas SchroederLeibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ); Professor in Physics at Humboldt Universität zu BerlinDirección de correo verificada de ikz-berlin.de
Karim CherkaouiTyndall National InstituteDirección de correo verificada de tyndall.ie
J. Muñoz-GorrizPhD student, Universitat Autonoma de BacelonaDirección de correo verificada de uab.cat
SALVADOR DUEÑASProfessor, University of ValladolidDirección de correo verificada de uva.es
Helena CastánCatedrática de Universidad, Universidad de ValladolidDirección de correo verificada de ele.uva.es
Marco A. VillenaUniversity of GranadaDirección de correo verificada de ugr.es
Adnan MehonicAssociate Professor, University College LondonDirección de correo verificada de ucl.ac.uk
Tony KenyonProfessor of Nanoelectronic & Nanophotonic Materials, UCLDirección de correo verificada de ee.ucl.ac.uk
Sebastian PazosPhysical Science and Engineering, King Abdullah University of Science and TechnologyDirección de correo verificada de kaust.edu.sa

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Enrique Miranda

Universitat Autonoma de Barcelona

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Título Ordenar por citas Ordenar por año Ordenar por título	Citado por Citado por	Año
Recommended methods to study resistive switching devices M Lanza, HSP Wong, E Pop, D Ielmini, D Strukov, BC Regan, L Larcher, ... Advanced Electronic Materials 5 (1), 1800143, 2019	668	2019
Coexistence of grain‐boundaries‐assisted bipolar and threshold resistive switching in multilayer hexagonal boron nitride C Pan, Y Ji, N Xiao, F Hui, K Tang, Y Guo, X Xie, FM Puglisi, L Larcher, ... Advanced functional materials 27 (10), 1604811, 2017	347	2017
Impact of Temperature on the Resistive Switching Behavior of Embedded -Based RRAM Devices C Walczyk, D Walczyk, T Schroeder, T Bertaud, M Sowinska, M Lukosius, ... IEEE transactions on electron devices 58 (9), 3124-3131, 2011	298	2011
Model for the Resistive Switching Effect in MIM Structures Based on the Transmission Properties of Narrow Constrictions EA Miranda, C Walczyk, C Wenger, T Schroeder IEEE Electron Device Letters 31 (6), 609-611, 2010	219	2010
Silicon Oxide (SiO_x): A Promising Material for Resistance Switching? A Mehonic, AL Shluger, D Gao, I Valov, E Miranda, D Ielmini, A Bricalli, ... Advanced materials 30 (43), 1801187, 2018	211	2018
Resistive switching in hafnium dioxide layers: Local phenomenon at grain boundaries M Lanza, G Bersuker, M Porti, E Miranda, M Nafría, X Aymerich Applied Physics Letters 101 (19), 2012	210	2012
Standards for the characterization of endurance in resistive switching devices M Lanza, R Waser, D Ielmini, JJ Yang, L Goux, J Suñe, AJ Kenyon, ... ACS nano 15 (11), 17214-17231, 2021	202	2021
Quantum-size effects in hafnium-oxide resistive switching S Long, X Lian, C Cagli, X Cartoixa, R Rurali, E Miranda, D Jiménez, ... Applied Physics Letters 102 (18), 2013	186	2013
Analytic model for the surface potential and drain current in negative capacitance field-effect transistors D Jimenez, E Miranda, A Godoy IEEE Transactions on Electron Devices 57 (10), 2405-2409, 2010	169	2010
Voltage and Power-Controlled Regimes in the Progressive Unipolar RESET Transition of HfO₂-Based RRAM S Long, L Perniola, C Cagli, J Buckley, X Lian, E Miranda, F Pan, M Liu, ... Scientific reports 3 (1), 2929, 2013	167	2013
Electron transport through broken down ultra-thin SiO2 layers in MOS devices E Miranda, J Sune Microelectronics Reliability 44 (1), 1-23, 2004	150	2004
A model for the set statistics of RRAM inspired in the percolation model of oxide breakdown S Long, X Lian, C Cagli, L Perniola, E Miranda, M Liu, J Suñé IEEE electron device letters 34 (8), 999-1001, 2013	139	2013
Cycle-to-Cycle Intrinsic RESET Statistics in -Based Unipolar RRAM Devices S Long, X Lian, T Ye, C Cagli, L Perniola, E Miranda, M Liu, J Sune IEEE electron device letters 34 (5), 623-625, 2013	132	2013
Hardware implementation of memristor-based artificial neural networks F Aguirre, A Sebastian, M Le Gallo, W Song, T Wang, JJ Yang, W Lu, ... Nature communications 15 (1), 1974, 2024	131	2024
Analytic modeling of leakage current through multiple breakdown paths in SiO/sub 2/films E Miranda, J Suñé 2001 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings. 39th …, 2001	125	2001
Soft breakdown conduction in ultrathin (3-5 nm) gate dielectrics E Miranda, J Suñé, R Rodríguez, M Nafria, X Aymerich, L Fonseca, ... IEEE Transactions on Electron Devices 47 (1), 82-89, 2000	122	2000
Variability in resistive memories JB Roldán, E Miranda, D Maldonado, AN Mikhaylov, NV Agudov, ... Advanced Intelligent Systems 5 (6), 2200338, 2023	111	2023
Are soft breakdown and hard breakdown of ultrathin gate oxides actually different failure mechanisms? J Suñé, G Mura, E Miranda IEEE Electron Device Letters 21 (4), 167-169, 2000	98	2000
Post soft breakdown conduction in SiO/sub 2/gate oxides J Sune, E Miranda International Electron Devices Meeting 2000. Technical Digest. IEDM (Cat. No …, 2000	95	2000
A function-fit model for the soft breakdown failure mode E Miranda, J Sune, R Rodriguez, M Nafria, X Aymerich IEEE Electron Device Letters 20 (6), 265-267, 1999	90	1999

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