Sirona Valdueza - Felip - Google Académico

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Coautores

Eva MonroyCEA, IRIG, PHELIQS-NPSC, Grenoble, FranceDirección de correo verificada de cea.fr
Fernando B. NaranjoAssociate Professor at University of AlcaláDirección de correo verificada de depeca.uah.es
Miguel Gonzalez-HerraezProfessor of Electronics, Universidad de AlcalaDirección de correo verificada de uah.es
Arántzazu Núñez CascajeroTécnico I+D en AIMENDirección de correo verificada de aimen.es
Laura Monteagudo - LermaDirección de correo verificada de depeca.uah.es
Joël EymeryUGA, CEA, IRIG-MEM, Nanostructure and X-Ray Radiation Lab. (HDR, Dr Res. CEA, Senior Expert)Dirección de correo verificada de cea.fr
Christophe DurandAsso. Professor-HDR, Université Grenoble Alpes, CEA, IRIG, PHELIQS-NPSCDirección de correo verificada de cea.fr
Anna MukhtarovaCEA-GrenobleDirección de correo verificada de cea.fr
Catherine Bougerol-(Chaillout)Directrice de recherche CNRSDirección de correo verificada de neel.cnrs.fr
Louis GrenetCEADirección de correo verificada de cea.fr
AKHIL AJAYPostdoctoral researcherDirección de correo verificada de wsi.tum.de
Luca RedaelliSTMicroelectronicsDirección de correo verificada de cea.fr
Lise LahourcadeLASPE @ EPFL - SwitzerlandDirección de correo verificada de epfl.ch
Pedro CorrederaInvestigador Cientifico (CSIC)Dirección de correo verificada de csic.es
Javier SolisInstituto de Optica CSICDirección de correo verificada de io.cfmac.csic.es
Sergio I. MolinaUniversidad de CádizDirección de correo verificada de uca.es
Óscar EstebanUniversidad de AlcalaDirección de correo verificada de uah.es
David PEYRADELaboratoire des Technologies de la Microélectronique LTM-CNRS-UMR5129 GrenobleDirección de correo verificada de cea.fr
Qing PanPostdoctoral researcher, Radboud UniversityDirección de correo verificada de science.ru.nl
Chalermchai HimwasSemiconductor Device Research Laboratory, Chulalongkorn UniversityDirección de correo verificada de chula.ac.th

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Sirona Valdueza - Felip

Associate Professor at University of Alcalá

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Optoelectronics Nitride semiconductors Nanotechnology Solar Cells Optical Communications


Título Ordenar por citas Ordenar por año Ordenar por título	Citado por Citado por	Año
Effect of the quantum well thickness on the performance of InGaN photovoltaic cells L Redaelli, A Mukhtarova, S Valdueza-Felip, A Ajay, C Bougerol, ... Applied Physics Letters 105 (13), 131105, 2014	74	2014
High-sensitive SPR sensing with Indium Nitride as a dielectric overlay of optical fibers Ó Esteban, FB Naranjo, N Díaz-Herrera, S Valdueza-Felip, MC Navarrete, ... Sensors and Actuators B: Chemical 158 (1), 372-376, 2011	66	2011
High In-content InGaN layers synthesized by plasma-assisted molecular-beam epitaxy: Growth conditions, strain relaxation, and In incorporation kinetics S Valdueza-Felip, E Bellet-Amalric, A Núñez-Cascajero, Y Wang, ... Journal of Applied Physics 116 (23), 233504, 2014	45	2014
Photovoltaic response of InGaN/GaN multiple-quantum well solar cells S Valdueza-Felip, A Mukhtarova, Q Pan, G Altamura, L Grenet, C Durand, ... Japanese Journal of Applied Physics 52 (8S), 08JH05, 2013	32	2013
Dependence of the photovoltaic performance of pseudomorphic InGaN/GaN multiple-quantum-well solar cells on the active region thickness A Mukhtarova, S Valdueza-Felip, L Redaelli, C Durand, C Bougerol, ... Applied Physics Letters 108 (16), 161907, 2016	31	2016
Improved conversion efficiency of as-grown InGaN/GaN quantum-well solar cells for hybrid integration S Valdueza-Felip, A Mukhtarova, L Grenet, C Bougerol, C Durand, ... Applied Physics Express 7 (3), 032301, 2014	30	2014
Nonlinear absorption of InN/InGaN multiple-quantum-well structures at optical telecommunication wavelengths FB Naranjo, PK Kandaswamy, S Valdueza-Felip, V Calvo, ... Applied Physics Letters 98 (3), 031902, 2011	26	2011
Study of high In-content AlInN deposition on p-Si (111) by RF-sputtering A Núñez-Cascajero, L Monteagudo-Lerma, S Valdueza-Felip, C Navío, ... Japanese Journal of Applied Physics 55 (5S), 05FB07, 2016	23	2016
Carrier localization in InN/InGaN multiple-quantum wells with high In-content S Valdueza-Felip, L Rigutti, FB Naranjo, P Ruterana, J Mangeney, ... Applied Physics Letters 101 (6), 062109, 2012	23	2012
Two-step method for the deposition of AlN by radio frequency sputtering L Monteagudo-Lerma, S Valdueza-Felip, A Núñez-Cascajero, ... Thin Solid Films 545, 149-153, 2013	22	2013
Pin InGaN homojunctions (10–40% In) synthesized by plasma-assisted molecular beam epitaxy with extended photoresponse to 600 nm S Valdueza-Felip, A Ajay, L Redaelli, MP Chauvat, P Ruterana, T Cremel, ... Solar Energy Materials and Solar Cells 160, 355-360, 2017	21	2017
Effect of the barrier thickness on the performance of multiple-quantum-well InGaN photovoltaic cells L Redaelli, A Mukhtarova, A Ajay, A Núñez-Cascajero, S Valdueza-Felip, ... Japanese Journal of Applied Physics 54 (7), 072302, 2015	21	2015
Stranski–Krastanow growth of -oriented GaN/AlN quantum dots L Lahourcade, S Valdueza-Felip, T Kehagias, GP Dimitrakopulos, ... Applied Physics Letters 94 (11), 111901, 2009	21	2009
Characterization of the Resonant Third-Order Nonlinear Susceptibility of Si-Doped GaN–AlN Quantum Wells and Quantum Dots at 1.5m S Valdueza-Felip, FB Naranjo, M Gonzalez-Herraez, H Fernández, J Solis, ... IEEE Photonics Technology Letters 20 (16), 1366-1368, 2008	20	2008
Improvement of InN layers deposited on Si (111) by RF sputtering using a low-growth-rate InN buffer layer S Valdueza-Felip, J Ibáñez, E Monroy, M González-Herráez, L Artús, ... Thin Solid Films 520 (7), 2805-2809, 2012	19	2012
Quality improvement of AlInN/p-Si heterojunctions with AlN buffer layer deposited by RF-sputtering A Núñez-Cascajero, S Valdueza-Felip, R Blasco, M de La Mata, SI Molina, ... Journal of Alloys and Compounds 769, 824-830, 2018	18	2018
In-rich AlxIn1− xN grown by RF-sputtering on sapphire: From closely-packed columnar to high-surface quality compact layers A Núñez-Cascajero, S Valdueza-Felip, L Monteagudo-Lerma, E Monroy, ... Journal of Physics D: Applied Physics 50 (6), 065101, 2017	17	2017
Influence of deposition conditions on nanocrystalline InN layers synthesized on Si (1 1 1) and GaN templates by RF sputtering S Valdueza-Felip, FB Naranjo, M González-Herráez, L Lahourcade, ... Journal of Crystal Growth 312 (19), 2689-2694, 2010	16	2010
Waveguide saturable absorbers at 1.55 μm based on intraband transitions in GaN/AlN QDs L Monteagudo-Lerma, S Valdueza-Felip, FB Naranjo, P Corredera, ... Optics Express 21 (23), 27578-27586, 2013	15	2013
Morphology and arrangement of InN nanocolumns deposited by radio-frequency sputtering: Effect of the buffer layer L Monteagudo-Lerma, S Valdueza-Felip, A Núñez-Cascajero, A Ruiz, ... Journal of Crystal Growth 434, 13-18, 2016	12	2016

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